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　　近期一则消息，震撼了整个半导体行业 。

　　一个叫做“长鑫科技”的企业 ，今年一季度
，归母净利润冲到了247.6亿；招股书还披露，预计上半年营收1100亿至1200亿元
、归母净利润500亿至570亿元
。更令人瞠目的是 ，就在三年前
，这家公司还在以逾百亿元的规模持续亏损，毛利率一度跌至负113%。

　　公开资料显示 ，2025年12月30日
，长鑫科技正式向中国证监会递交A股上市申请，拟在上交所科创板挂牌 ，计划募集资金约295亿元 。5月17日傍晚，长鑫科技更新了招股说明书
。

　　这是中国半导体行业迄今规模最大的IPO申请之一
，也是这个行业多年来一场持续较量的阶段性注脚。

　　这家公司的业绩为何能在短短两年间完成如此惊人的逆转？在全球DRAM产业格局中，它又面临着哪些结构性的挑战？这篇文章试图给出一个完整的答案 。

　　图据视觉中国

　　打的是存储芯片里最难啃的骨头

　　要理解长鑫科技 ，必须先理解它所在的赛道
。

　　DRAM
，全称动态随机存取存储器，是计算机体系结构中不可或缺的一环。

　　通俗地说 ，它是系统的“工作台 ”
，而非“仓库
”——闪存（NAND Flash）负责长期存储数据，DRAM负责在程序运行期间临时承载和处理数据 。

　　你打开一个App、刷新一条微信消息 、向大模型发出一次提问 ，背后的每一个操作都在调用DRAM
。

　　从应用场景看
，DRAM覆盖三大领域：以服务器为核心的数据中心市场
、以智能手机为主的移动端市场，以及PC和消费电子。

　　截图自招股书

　　近年来 ，随着AI大模型训练和推理对算力的海量消耗
，数据中心DRAM的需求急剧膨胀，训练一个大型语言模型 ，需要数以百计的高性能GPU，而每张GPU卡上都堆叠着大量的高带宽DRAM 。

　　这是长鑫得以在2025-2026年爆发的最重要外部背景之一。

　　回到商业模式
，长鑫科技采用的是业内称为IDM（垂直整合制造）的模式，即从芯片设计、晶圆制造到封装测试 ，全部自主完成
。

　　这种模式的对立面是Fabless（无厂设计）
，只负责设计，把生产外包给台积电 、三星代工厂。

　　相比之下 ，IDM的优势在于
，当设计与制造高度协同，工程师可以针对自家工艺定制性能参数 ，在制造良率和成本摊薄上拥有更大的操控空间；劣势同样显著：前期资本开支极为庞大
，一条先进制程晶圆产线的建设费用动辄超过百亿元，且从建设到爬产需要数年时间 ，这期间持续的折旧与成本压力会让财报极为难看 。

　　2023年的巨额亏损
，并非经营失败，而是这一模式固有的代价
。

　　注：主营毛利率为转销前数据 ，剔除存货跌价准备转销影响，更能反映真实产销关系。 财报大师姐制图

　　这个表也可以读出一条清晰的轨迹 。

　　2023年
，公司营收不足百亿，毛利率深陷负值 ，净亏损163亿元
，研发投入占营收比例高达51.4%，这个数字说明 ，彼时公司正在以近乎全部收入为代价维持技术研发的运转
。

　　2024年局面有所改善
，营收增至241.8亿，亏损收窄至71.4亿 ，毛利率已从负113%回归至负4.7%的临界区间。

　　转折发生在2025年
，营收跃升至618亿，归母净利润转正为18.7亿 ，主营毛利率突破37.8% 。

　　而到了2026年一季度
，单季营收即达508亿，净利润高达247.6亿 ，净利润率接近49%，这一水平
，在全球制造业中都属于异常优秀的成绩单
。

　　用三年时间从负113%的毛利率走到近50%的净利润率，长鑫完成了中国半导体史上最戏剧性的财务反转之一。

　　这钱 ，是怎么赚出来的？

　　拆分长鑫2025—2026年的业绩爆发
，是三个独立但相互强化的齿轮同时转动的结果：产能规模上量
、AI需求爆发、内存价格回升 。

　　先说产能
。

　　DRAM制造是典型的规模经济行业，产线建好之后 ，固定成本（折旧）是刚性的
，但每多生产一片晶圆的边际成本相对较低。因此，产能利用率越高 ，单位产品分摊的成本越低
，毛利率随之爬升 。

　　长鑫近年来持续扩产，2024年产能达到相当规模之后 ，2025年的爬产成效在财务上得到了充分体现。

　　再说需求侧
。

　　前文提到
，2024年下半年至2025年，全球AI大模型竞赛白热化。英伟达H系列 、B系列GPU出货量持续攀升 ，每一张高端GPU卡均需搭载HBM（高带宽存储）或大量DDR5内存 。

　　据行业估算，每套高算力AI服务器的DRAM用量是传统服务器的3-5倍
。

　　这一结构性变化
，让全球DRAM的需求曲线以远超预期的斜率向上倾斜，直接推高了整体均价。

　　第三个齿轮是价格 。

　　DRAM价格具有强周期性 ，2023年的深度低谷之后
，2024年下半年开始明显回暖，2025年延续上行
。

　　价格重心的抬升 ，加上长鑫产品结构向DDR5
、LPDDR5X等高附加值品类的持续切换
，使得单位售价与单位成本之间的剪刀差迅速拉大，最终呈现为财报上令人侧目的毛利率。

　　用户节后来看 ，招股书披露的核心客户名单
，几乎囊括了中国所有的头部科技企业：数据中心侧有阿里云、字节跳动 、腾讯，PC与手机侧有联想
、小米、荣耀 、OPPO、vivo
、传音 。

　　这份名单的含金量在于 ，这些客户对供应商的准入门槛极高
，不仅要求产品性能过关，还要求供货稳定性、工程支持能力和价格竞争力同步达标
。

　　能同时服务云计算巨头和手机厂商 ，意味着长鑫的产品线足够完整，技术规格足够成熟。对一家成立不到十年的DRAM企业而言
，这份客户背书本身就是一种竞争壁垒 。

　　行业竞争来看，全球DRAM市场长期由三星电子 、SK海力士
、美光科技三家主导 ，合计份额超过90%
。

　　这一格局维持了近三十年
，期间曾有多家竞争者尝试突围，均以失败告终 ，台湾的瑞晶、德国的奇梦达 、日本的尔必达
，无一例外。

　　三巨头的护城河来自三个层面：技术积累（多代工艺节点的经验沉淀）
、专利壁垒（数以万计的核心专利形成的诉讼威慑）、以及规模效应（越大的出货量带来越低的单位成本） 。

　　这也是为什么进入这个行业难，在里面活下去更难。

　　长鑫目前全球排名第四 ，其余竞争者包括台湾的南亚科技 、华邦电子
、力积电等
，但这几家的体量与三巨头相比差距悬殊
。

　　严格意义上，长鑫真正需要比较的对手 ，是三星、SK海力士和美光。

　　长鑫已经坐上了全球DRAM的第四把交椅
，但第一把交椅与第四把之间的距离，并不比第四把与第十把小 。

　　赛道背后：钱越多 ，风险越真实

　　对于长鑫后续发展，在行业变革之下
，也必须要注意以下几个关键信息
。

　　首先，折旧是悬在头顶的达摩克利斯之剑。

　　半导体制造是人类工业史上最资本密集的行业之一 。一条先进DRAM产线的建设成本 ，通常在数百亿元量级；而芯片设备的折旧周期通常为5—10年
，这意味着无论这条产线是满负荷运转还是闲置停产，每年的折旧费用都是刚性支出
。

　　长鑫目前固定资产规模庞大 ，年折旧规模相当可观。

　　这种结构决定了一件事
，一旦产品价格下跌，或者产能利用率因市场波动而下滑 ，利润下行的速度会远超收入下行的速度 。

　　2023年的亏损
，很大程度上正是这一机制的体现
。即便如今盈利能力大幅改善，这把剑依然悬着 ，只是在产能利用率高 、价格强劲的周期里
，它暂时收回了剑鞘。

　　其次，DRAM是周期之王 。

　　DRAM市场的周期性是这个行业最为人熟知的特征
。由于产品高度同质化 ，下游需求受宏观经济和消费电子景气度驱动，而供给端的产能扩张具有明显的时滞效应
，导致价格经常在供不应求和供过于求之间大幅震荡。

　　2023年的行业深度下行堪称教科书级案例：三星全年营业利润同比下降84%，SK海力士亏损约70亿美元 ，美光亏损约58亿美元 。整个行业集体陷入困境
，长鑫自然也不例外。

　　问题在于，没有人能精确预测下一次下行周期的时间和深度
。

　　长鑫当前的强劲盈利 ，在相当程度上依托于AI驱动的需求繁荣和对应的价格高位。一旦AI基础设施投资阶段性放缓
，或者供给端在三巨头的持续扩产下重新过剩，盈利数字的回落将是快速而剧烈的 。

　　此外 ，技术代差
，追赶者的永恒困境

　　在DRAM的技术版图上，存在一个最高端的品类：HBM（高带宽存储 ，High Bandwidth Memory）
，这是专为AI加速芯片设计的堆叠式内存，目前是英伟达A系
、H系、B系GPU以及AMD和英特尔加速芯片的标准配置
。

　　HBM的技术壁垒远高于普通DRAM ，需要在极为精密的3D堆叠封装工艺上实现良率攻关。

　　目前HBM市场几乎被三星和SK海力士把持，SK海力士更是以HBM3E供应英伟达的优势地位
，享有极高的产品溢价 。

　　美光亦已实现HBM3E量产
。对长鑫而言，HBM是当前技术图谱中最关键的缺口 ，其战略价值在于
，AI时代最高附加值的DRAM需求，正是HBM在承接。

　　更深层的挑战在于 ，追赶者的困境
，不仅在于弥合已有的差距，更在于如何在对方还在高速奔跑的情况下 ，持续缩小相对距离 。

　　最后
，供应链的外部不确定性
。

　　这是一个所有中国半导体企业都不得不正视的议题，但招股书里的措辞必然是审慎克制的。DRAM制造高度依赖精密光刻设备 、特种气体、高纯度化学品等核心耗材 ，全球供应链高度集中
，部分关键环节的替代选项极为有限 。近年来地缘政治的演变，使得这一供应链的稳定性面临持续压力
。

　　此次募资中 ，130亿用于DRAM技术升级，90亿用于前瞻技术研发
，合计220亿——这笔投入指向的，不仅是现有产品的工艺迭代 ，更是向更高技术台阶发起冲击的弹药储备。

　　长鑫需要同时做两件在时间上互相竞争的事：赚现在的钱
，同时为下一个技术台阶烧未来的钱 。

　　这是所有追赶者在接近前沿时都必须面对的两难。

　　结语

　　2016年，一家中国公司决定从零开始做DRAM
。这个决定在当时被很多人视为天方夜谭 ，不是因为缺乏勇气
，而是因为全球市场上几乎没有成功先例，技术壁垒高到令人望而生畏 ，且三巨头从未给过任何追赶者足够的生存空间。

　　不到十年之后
，长鑫科技坐到了全球第四的位置，单季净利润已经超过2025年全年净利润的十倍 。无论从哪个角度看 ，这都是一个值得认真记录的工业成就
。

　　但历史告诉我们
，在这个赛道上，成功从来不是一次性的 ，它需要在每一个技术迭代的节点上。三星的第一是三十年持续投入的结果，不是一两个超级周期的礼物 。

　　长鑫当下的成绩
，在很大程度上得益于AI超级周期
、国产替代需求、以及前期研发积累三者的同频共振
。

　　这种共振不会永远持续。当市场重新进入下行周期，当HBM赛道的技术分水岭愈发清晰 ，长鑫能否在那个时点仍然保持足够的竞争力
，将是这家公司真正的历史性考验 。

　　这场考验尚未到来
。但它一定会来。这也是为什么，这个故事还远远没有结束 。